quinta-feira, 5 de janeiro de 2012

Lei de Ohm em escala atômica

Uma nova técnica para a incorporação de fios em escala atômica dentro de cristais de silício, revelou que a lei de Ohm pode ser considerada verdadeirs para condutores com apenas quatro átomos de espessura e um átomo de altura.

microscópio por tunelamento mostra um fio em escala atômica

© Bent Weber (microscópio mostra fio em escala atômica)

O resultado é uma surpresa, porque a sabedoria convencional sugere que os efeitos quânticos devem causar grandes desvios da lei de Ohm para tal fios minúsculos. Paradoxalmente, os pesquisadores esperam que a descoberta venha ajudar no desenvolvimento de computadores quânticos.
O tamanho dos transistores e outros dispositivos estão se aproximando da escala atômica nos chips baseados em silício. Além dos desafios tecnológicos na fabricação de novos componentes, muitos físicos estão preocupados que a imprecisão inerente à mecânica quântica, em breve tornarão as leis clássicas aplicadas aos dispositivos eletrônicos estarão obsoletas.
Para investigar a condução na escala atômica, Michelle Simmons, Bent Weber e seus colegas da Universidade de New South Wales na Austrália, desenvolveram um método que usa átomos de fósforo que são incorporados atomicamente em finas regiões dentro de um cristal de silício. O fósforo tem um elétron a mais em sua camada externa do que o silício, e se um átomo de silício é substituído por um átomo de fósforo (um processo chamado de p-doping), ele doa um elétron livre para o cristal, aumentando assim a condutividade da região dopada.
A equipe de Simmons usa a ponta de um microscópio de varredura por sonda para criar um canal no silício através da remoção de camadas de átomos. A superfície é então exposta ao gás de fósforo, seguido pela deposição de átomos de silício. O resultado é uma cadeia de átomos de fósforo incorporado dentro de um cristal de silício - um fio de forma atômica. A equipe descobriu que a resistividade dos fios foi constante até em escala atômica. Isto significa que a resistência de um fio é proporcional ao seu comprimento e inversamente proporcional à sua área, assim como você esperaria da lei de Ohm!
As técnicas usadas para criar os fios não podem atualmente ser implantadas em processos industriais, mas acredita-se que é uma demonstração importante de que a miniaturização da eletrônica clássica pode continuar por vários anos. Empresas como a Intel tem se preocupado em fazer seus dispositivos tão pequenos que tornam a mecânica quântica evidente em seu comportamento. O comprimento de porta do transistor atualmente são cerca de 22 nm, que é cerca de 100 vezes o espaçamento dos átomos de silício individual.

O grupo de Simmons, no entanto, não está interessado na eletrônica convencional e em vez disso está trabalhando para o desenvolvimento de computadores quânticos. A equipe espera usar átomos de fósforo individuais como bit quântico, ou qubits.

"Cinco anos atrás, havia muitas barreiras potenciais para o desenvolvimento computador quântico baseado no fósforo. No momento eu acho que o grande desafio para a computação quântica é fazer um sistema escalável. Certamente esses fios são muito úteis para esse objetivo ", diz Simmons.

Fonte: Science

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